如何改善监控开关电源电路的EMI特性？

如何改善监控开关电源电路的EMI特性？

电源开关式电源设计发展趋向是实用化。监控开关电源实用化设计方案中，提升电源开关頻率可合理提升开关电源的功率。但伴随着电源开关頻率提高，电源电路干扰信号（EMI）难题使开关电源技术工程师遭遇了更大的挑戰。文中以反激式电源开关拓扑为例，从设计方案视角，探讨怎样减少电源电路EMI。

为提升监控开关电源的功率，开关电源技术工程师***先想起的方法是切换开关頻率更高的MOSFET,根据提升电源开关速率能够明显地减少輸出过滤器容积，进而在企业容积内可保持更高的输出功率级别。可是伴随着电源开关頻率的提升，会产生EMI特点的恶变，务必采取措施的对策改进电源电路的EMI特点

监控开关电源的输出功率MOSFET安裝在pcb电路板上，因为pcb电路板上MOSFET布线和环路存有杂散电容器和内寄生电感器，电源开关頻率越高，这种杂散电容器和内寄生电感器更为不可以忽视。因为MOSFET上的工作电压和电流量在电源开关时候迅速转变，迅速转变的工作电压和电流量与这种杂散电容器和内寄生电感器相互作用力，会造成工作电压和电流量出現尖峰，使輸出噪音持续上升，危害系统软件EMI特点。

由1-1和1-2式所知，内寄生电感器和di/dt产生工作电压尖峰，寄生电容和dv/dt产生电流量尖峰。这种迅速转变的电流量和关系的脉冲电流在别的地区造成藕合的噪音工作电压，因而危害到监控开关电源EMI特点。下边以反激式电源开关拓扑为例，对减少MOSFET的dv/dt和di/dt对策开展详细介绍。

监控开关电源能够采用下列合理对策：

较高的Cds能够减少dv/dt并减少Vds过冲；可是较高的Cds会危害转化器的高效率。能够应用具备较低击穿场强和低导通电阻器的MOSFET（这种MOSFET的Cds也较小）。可是假如考虑到噪音辐射源，则必须应用很大的串联谐振电容器(Cds)。因而提升Cds则必须衡量EMI和高效率二者的关联；

较高的Cgd本质上提升了MOSFET在米勒服务平台的延迟时间，能够减少dv/dt。但这会造成提升开关损耗，进而减少MOSFET高效率而且会提升其温度。提升Cgd，必须驱动电流也会大幅度提升，控制器将会会因为一瞬间电流量过大而损坏；提议尽量不要加上Cgd；

在栅极处加上外界Cgs电容器，但非常少应用此方式 ，由于提升栅极电阻器Rg相对性更简易。实际效果是同样的。

监控开关电源小结：

图3小结为减少MOSFET的dv/dt对策小结。MOSFET內部参数（Cgd和Cds）较低时，就将会必须应用外界Cgd和Cds来减少dv/dt。外界电容器的范畴为几pF到100pF，这为设计方案工作人员出示这种寄生电容的固定值开展参照设计方案。

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