开关电源厂家-减少电源开关组件损耗
减少电源开关组件损耗的直接途径是选择低通电阻器、可快速转换的MOSFET以及可快速修复和低通压降低的二极管。一般来说,增大排水杆的芯片尺寸和击穿场强度有利于减小电阻。因此,MOSfet的选择必须在规格和效率之间进行衡量。此外,由于mosfet的特性,当ic集成温度升高时,通过电阻会相对膨胀。需要选择一个中等的热管理系统来维持低温,这样导电电阻就不会太大。由于停止电阻与网格参考点之间工作电压的逆比,强烈建议闸极工作电压应足够大,使MOSFET完全关闭。此外,电源开关控制装置本身一般不能引起高电网驱动器工作电压,除非集成电路显示自升电路,或选择外部电网驱动器。MOSFET的开关损耗在于寄生电容,大的寄生电容必须是长电池充电时间,以便电源开关变化缓慢,动能损失大。磨床电容一般与电源开关的输电电容或栅漏电容成反比,在整个开关过程中起决策作用。Miller电容器中电池的电荷正电荷定义为QGD,这样MOSFET可以快速转换,并可以指定***低的MILLER电容器。一般来说,电容器和芯片尺寸成反比,因此必须考虑开关损耗和传输损耗。
电感损失
电感功率包括电磁线圈的损耗和磁芯的损耗,电磁线圈的损耗是由电磁线圈的电阻测量引起的。对于固定传感器值,电感规格超过一小时,因此保持同一线圈转动必须减少电磁线圈的面积,从而导致DCR的膨胀;对于给定的电感规格,小的电感值可以减少DCR。结果表明,DCR的电流和平均电感的电流是ilavq,电感的电阻损失可以用上述公式估计。
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核心损失不像传输损失那么容易估计。它由涡流损失和涡流损失构成,危及变压器芯的交流通量。在电力变压器中,虽然平均交流电流通过电感,但由电感开关电压变化引起的谐波失真电流导致磁通量变化。涡流损失来自于每个通信周期时间中磁偶极子的重排序,这与磁通的相对密度成正比。
电容器损耗
开关电源厂家认为与理想的电容固体模型相比,电容器组件的物理特性造成了几种损失。电容器的损失降低了电力变压器的高效率,这是电容器在开关电源原理中的关键功能。这种损失可根据三个条件描述:等效系列电阻损失、泄漏电流损失和电解质损失。电容器的电阻损耗不言而喻。即使在每个电源开关周期注入和排放电流,电容器的电阻(RC)也会产生一定的功率。漏电流损耗(rl)是由于电容器绝缘材料的电阻通过电容器的小电流引起的输出功率损耗。介电损耗(RD)非常复杂,因为交流电流在电容器两侧释放,电容器的静电场发生变化。
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