LED防爆灯能否真正达到1个个00％的发光效率

很多公司会说，他们自己的led防爆灯在产品推广中的发光效率是100%，但没有一款LED防爆灯能够真正产生100%的发光效率。。所有这些说法仍然只存在于理论阶段：只要技术***，就不会有问题。但真的没有问题吗？世界上的一切都遵循质量守恒定律，但要把能量损失降到零仍然很困难。***少到目前为止，还没有人能做到这一点。。 让我们将其与目前市场上使用的灯泡光源进行比较： 1.发光效率为12-24流明/瓦的白炽灯和卤钨灯； 2.荧光灯和hid灯的发光效率为50？120流明/瓦； 3、LED防爆灯预计达到250流明/W，目前可达到110流明/W。该方法已成功应用于实践。 新型黎明科创led防爆灯 从这些值可以看出，如果条件允许，光源的光效率可以更高。。它可以无限接近100%的灯光效果，直到达到100%。 目前，更可行的提高发光效率的方法是： 1、LED防爆灯（LLO）激光剥离技术： 激光剥离技术（LLO）利用激光能量区分GaN/蓝宝石界面处的GaN缓冲层，然后将LED外延晶片与蓝宝石衬底分离。其技术优势是将外延晶片转移到具有高导热性的散热器上，这可以改善大规模芯片中的电流扩展。n面为发光面：发光面积增大，电极较小，有利于微版图的制备，减少刻蚀、研磨和划线。更重要的是，蓝宝石衬底可以重复使用。 2、Led防爆灯芯片粘接技术： 光电设备对所需数据有一定的功能要求，通常要求带宽差大，数据折射率变化大。不幸的是，通常没有这样的自然信息。使用均匀外延生长技术通常不能形成所需的带宽差和折射率差，而在硅片上使用常规的异质外延技术（如外延GaAs和InP）不仅成本较高，LED防爆灯而且还涉及到界面位置。误差密度也很高，很难形成高质量的光电集成设备。低温键合技术可以大大减少不同材料之间的热失配，减少应力和位错，从而形成高质量的设备。随着对粘接机理和粘接工艺技能的逐步了解，各种不同的材料可以相互结合，形成一些特殊的材料和设备。 3、LED防爆灯透明基板制作工艺： InGaAlP LED显示器通常通过在GaAs衬底上外延生长InGaAlP发光区和gap窗口区来制备。与InGaAlP相比，GaAs材料的带隙小得多。因此，当短波长光从发光区和窗口表面进入GaAs衬底时，它将被完全吸收，这是器件光输出功率低的主要原因。在衬底和约束层之间生长布拉格反射区，其可将发射到衬底的光反射回发光区或窗口，从而改善器件的发光特性。一种更有用的方法是移除GaAs衬底，然后用完全透明的gap晶体替换它。 4、LED防爆灯外部微布局技术： 外观微布局技术是提高设备光功率的另一项有效技术。这项技能的基本关键是在芯片表面按光波长的顺序蚀刻许多小布局。每个布局都是四面体的，所以它不仅应该扩展。通过增加发光面积和改变芯片表面上的光折射方向，可显著提高透射光功率。测量结果表明，窗口层厚度为20μM，光输出功率可提高30%。当窗口层厚度减小到10μM时，输出功率将增加60%。 当然，我们仍然期望LED防爆灯的实际发光效率达到100%，这不仅节能，而且环保。！

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